Please use this identifier to cite or link to this item:
http://repositsc.nuczu.edu.ua/handle/123456789/6101| Title: | Morphologies and Photoluminescence Properties of Porous n-InP |
| Authors: | S. Vambol V. Vambol I . Bogdanov Y . Suchikova O . Kondratenko |
| Keywords: | Фосфид индия морфология поверхности травление фотолюминесценция полупроводниковые материалы III-V |
| Issue Date: | 2017 |
| Citation: | 2017 IEEE 7th International Conference on Nanomaterials: Applications & Properties (NAP – 2017) |
| Series/Report no.: | ;DOI: 10.1109 / NAP.2017.8190154 |
| Abstract: | Образцы пористого InP выращивали методом анодного электрохимического травления на подложке (100) InP n-type. Образцы были охарактеризованы сканирующей электронной микроскопией (SEM) и фотолюминесценцией (PL), где в PL наблюдался синий сдвиг. Снять поверхностные оксиды с поверхности пористого InP, используя термическую очистку образцов в потоке высокой чистоты водорода. Химический состав поверхности пористого n-InP после исследования методом водородного зондирования методом энергодисперсионной рентгеновской спектроскопии. Размер стен между порами составляет 3-11 нм. |
| URI: | http://repositsc.nuczu.edu.ua/handle/123456789/6101 |
| Appears in Collections: | Кафедра прикладної механіки |
Items in DSpace are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.