Будь ласка, використовуйте цей ідентифікатор, щоб цитувати або посилатися на цей матеріал: http://repositsc.nuczu.edu.ua/handle/123456789/8802
Назва: Influence of color centers on the luminescent response of radiation-damaged CsI:Tl crystal
Автори: Яковлев, В.
Тарахно, О.В.
Трефилова, Л.Н.
Алексеев, В.
Лебединский, А.
Шпилинская, О.
Ключові слова: energy transfer
luminescence
color center
radiation damage
thallium doped cesium iodide
сцинтиляційні матеріали
Дата публікації: 2018
Бібліографічний опис: Yakovlev, V., Trefilova, L., Alekseev, V., Lebedynskiy, A., Tarakhno, O. / Influence of color centers on the luminescent response of radiation-damaged CsI:Tl crystal // Functional Materials.
Короткий огляд (реферат): Luminescence properties of Tl0va+ and Tl+vc- color centers induced by irradiation in CsI:Tl crystal are studied within a temperature range of 80-300 K. It is found, that electron Tl0va+ and hole Tl+vc- color centers arising due to radiation damage do not reduce conversion efficiency of CsI:Tl crystal, but participate in scintillation process to get energy from Tl+ centers by resonance. Degradation of the light yield of the irradiated CsI:Tl crystal is caused by the radiative energy transfer from Tl+ to Tl0va+ centers, whose emission is quenched at temperature above 210 K. Non-radiative energy transfer from Tl+ to Tl+vc- centers results in long-wave spectral shift and the duration increase of the scintillation pulse.
URI (Уніфікований ідентифікатор ресурсу): http://repositsc.nuczu.edu.ua/handle/123456789/8802
Розташовується у зібраннях:Кафедра спеціальної хімії та хімічної технології

Файли цього матеріалу:
Файл Опис РозмірФормат 
fm251-013 (1).pdfЛюминисцентный отклик930,18 kBAdobe PDFПереглянути/Відкрити


Усі матеріали в архіві електронних ресурсів захищені авторським правом, всі права збережені.