1. eNUCPUIR
  2. Факультет техногенно-екологічної безпеки
  3. Кафедра фізико-математичних дисциплін
Будь ласка, використовуйте цей ідентифікатор, щоб цитувати або посилатися на цей матеріал: http://repositsc.nuczu.edu.ua/handle/123456789/8902
Повний запис метаданих
Поле DCЗначенняМова
dc.contributor.authorШпилинская, Александра Л.-
dc.contributor.authorKudin, Alexander M.-
dc.contributor.authorЗосим, Дмитрий И.-
dc.contributor.authorПедаш, Вячеслав Ю.-
dc.date.accessioned2019-04-22T09:31:39Z-
dc.date.available2019-04-22T09:31:39Z-
dc.date.issued2010-
dc.identifier.citationТезисы докладов НКРК-2010. С. 34ru_RU
dc.identifier.urihttp://repositsc.nuczu.edu.ua/handle/123456789/8902-
dc.descriptionдоклад на Национальной конференции по росту кристаллов в Институте кристаллографии. 2010 г.ru_RU
dc.description.abstractМетодом Стокбаргера в атмосфере кислорода выращены кристаллы CsI:Tl с увеличенным содержанием таллия, дополнительно легированные анионами IO_3^- либо NO_2^-. Получены прозрачные кристаллы CsI:Tl,IO_3 с содержанием таллия 0,5 % и CsI:Tl,NO_2 c содержанием таллия 0,6 % мол, для которых наблюдается пфановское распределение активатора. Изучены спектрально-кинетические и сцинтилляционные характеристики кристаллов с увеличенной концентрацией активатора.ru_RU
dc.language.isoruru_RU
dc.publisherИнститут кристаллографииru_RU
dc.relation.ispartofseriesтом 1;-
dc.subjectCsI:Tl Crystalru_RU
dc.subjectcrystal growthru_RU
dc.subjectco-dopingru_RU
dc.subjectscintillation characteristicsru_RU
dc.titleВыращивание сильно легированных кристаллов CsI:Tl и их сцинтилляционные свойстваru_RU
dc.title.alternativeGrowthing of highly doped CsI:Tl crystal and its scintillation propertiesru_RU
dc.typeOtherru_RU
Розташовується у зібраннях:Кафедра фізико-математичних дисциплін

Файли цього матеріалу:
Файл Опис РозмірФормат 
НКРК_10_34.pdf112,01 kBAdobe PDFПереглянути/Відкрити
Показати базовий опис матеріалу Перегляд статистики


Усі матеріали в архіві електронних ресурсів захищені авторським правом, всі права збережені.