Please use this identifier to cite or link to this item: http://repositsc.nuczu.edu.ua/handle/123456789/8902
Title: Выращивание сильно легированных кристаллов CsI:Tl и их сцинтилляционные свойства
Other Titles: Growthing of highly doped CsI:Tl crystal and its scintillation properties
Authors: Шпилинская, Александра Л.
Kudin, Alexander M.
Зосим, Дмитрий И.
Педаш, Вячеслав Ю.
Keywords: CsI:Tl Crystal
crystal growth
co-doping
scintillation characteristics
Issue Date: 2010
Publisher: Институт кристаллографии
Citation: Тезисы докладов НКРК-2010. С. 34
Series/Report no.: том 1;
Abstract: Методом Стокбаргера в атмосфере кислорода выращены кристаллы CsI:Tl с увеличенным содержанием таллия, дополнительно легированные анионами IO_3^- либо NO_2^-. Получены прозрачные кристаллы CsI:Tl,IO_3 с содержанием таллия 0,5 % и CsI:Tl,NO_2 c содержанием таллия 0,6 % мол, для которых наблюдается пфановское распределение активатора. Изучены спектрально-кинетические и сцинтилляционные характеристики кристаллов с увеличенной концентрацией активатора.
Description: доклад на Национальной конференции по росту кристаллов в Институте кристаллографии. 2010 г.
URI: http://repositsc.nuczu.edu.ua/handle/123456789/8902
Appears in Collections:Кафедра фізико-математичних дисциплін

Files in This Item:
File Description SizeFormat 
НКРК_10_34.pdf112,01 kBAdobe PDFView/Open


Items in DSpace are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.