Будь ласка, використовуйте цей ідентифікатор, щоб цитувати або посилатися на цей матеріал: http://repositsc.nuczu.edu.ua/handle/123456789/8902
Назва: Выращивание сильно легированных кристаллов CsI:Tl и их сцинтилляционные свойства
Інші назви: Growthing of highly doped CsI:Tl crystal and its scintillation properties
Автори: Шпилинская, Александра Л.
Kudin, Alexander M.
Зосим, Дмитрий И.
Педаш, Вячеслав Ю.
Ключові слова: CsI:Tl Crystal
crystal growth
co-doping
scintillation characteristics
Дата публікації: 2010
Видавництво: Институт кристаллографии
Бібліографічний опис: Тезисы докладов НКРК-2010. С. 34
Серія/номер: том 1;
Короткий огляд (реферат): Методом Стокбаргера в атмосфере кислорода выращены кристаллы CsI:Tl с увеличенным содержанием таллия, дополнительно легированные анионами IO_3^- либо NO_2^-. Получены прозрачные кристаллы CsI:Tl,IO_3 с содержанием таллия 0,5 % и CsI:Tl,NO_2 c содержанием таллия 0,6 % мол, для которых наблюдается пфановское распределение активатора. Изучены спектрально-кинетические и сцинтилляционные характеристики кристаллов с увеличенной концентрацией активатора.
Опис: доклад на Национальной конференции по росту кристаллов в Институте кристаллографии. 2010 г.
URI (Уніфікований ідентифікатор ресурсу): http://repositsc.nuczu.edu.ua/handle/123456789/8902
Розташовується у зібраннях:Кафедра фізико-математичних дисциплін

Файли цього матеріалу:
Файл Опис РозмірФормат 
НКРК_10_34.pdf112,01 kBAdobe PDFПереглянути/Відкрити


Усі матеріали в архіві електронних ресурсів захищені авторським правом, всі права збережені.