Будь ласка, використовуйте цей ідентифікатор, щоб цитувати або посилатися на цей матеріал:
http://repositsc.nuczu.edu.ua/handle/123456789/8902| Назва: | Выращивание сильно легированных кристаллов CsI:Tl и их сцинтилляционные свойства |
| Інші назви: | Growthing of highly doped CsI:Tl crystal and its scintillation properties |
| Автори: | Шпилинская, Александра Л. Kudin, Alexander M. Зосим, Дмитрий И. Педаш, Вячеслав Ю. |
| Ключові слова: | CsI:Tl Crystal crystal growth co-doping scintillation characteristics |
| Дата публікації: | 2010 |
| Видавництво: | Институт кристаллографии |
| Бібліографічний опис: | Тезисы докладов НКРК-2010. С. 34 |
| Серія/номер: | том 1; |
| Короткий огляд (реферат): | Методом Стокбаргера в атмосфере кислорода выращены кристаллы CsI:Tl с увеличенным содержанием таллия, дополнительно легированные анионами IO_3^- либо NO_2^-. Получены прозрачные кристаллы CsI:Tl,IO_3 с содержанием таллия 0,5 % и CsI:Tl,NO_2 c содержанием таллия 0,6 % мол, для которых наблюдается пфановское распределение активатора. Изучены спектрально-кинетические и сцинтилляционные характеристики кристаллов с увеличенной концентрацией активатора. |
| Опис: | доклад на Национальной конференции по росту кристаллов в Институте кристаллографии. 2010 г. |
| URI (Уніфікований ідентифікатор ресурсу): | http://repositsc.nuczu.edu.ua/handle/123456789/8902 |
| Розташовується у зібраннях: | Кафедра фізико-математичних дисциплін |
Файли цього матеріалу:
| Файл | Опис | Розмір | Формат | |
|---|---|---|---|---|
| НКРК_10_34.pdf | 112,01 kB | Adobe PDF | Переглянути/Відкрити |
Усі матеріали в архіві електронних ресурсів захищені авторським правом, всі права збережені.