Будь ласка, використовуйте цей ідентифікатор, щоб цитувати або посилатися на цей матеріал: http://repositsc.nuczu.edu.ua/handle/123456789/13367
Назва: Factors which define the alpha/gamma-ratio in CsI(Tl) crystals
Автори: Sysoeva, Elena P.
Sysoeva, Elena V.
Трефілова, Л.М.
Kudin, Alexander M.
Zosim, Dmitriy I
Ключові слова: CsI:Tl crystal
alpha / gamma ratio
dead layer
scintillation efficiency
Дата публікації: 2003
Видавництво: SCINT
Бібліографічний опис: International conference SCINT-03, Valensia, 8-12 Sept. 2003, p.17-18
Серія/номер: Abstracts;p. 66-67
Короткий огляд (реферат): It has been shown that both the light yield at α-excitation and the α/γ-ratio depend on the time of crystal storage after polishing. On the base of the idea of the formation of deformation-induced point defects in a thin surface-adjacent layer, the causes of the temporary increasing in light yield for α-particle are explained. Given is an explanation of the results obtained by Gwin and Murray concerning the relation between the α/γ ratio and the Tl concentration. In our opinion, the noted paper cannot be taken into account for experimental verification of theoretical models
Опис: poster presentatoin at SCINT-2003
URI (Уніфікований ідентифікатор ресурсу): http://repositsc.nuczu.edu.ua/handle/123456789/13367
Розташовується у зібраннях:Кафедра фізико-математичних дисциплін

Файли цього матеріалу:
Файл Опис РозмірФормат 
factors_alpha_to_gamma.pdf22,44 kBAdobe PDFПереглянути/Відкрити


Усі матеріали в архіві електронних ресурсів захищені авторським правом, всі права збережені.