Будь ласка, використовуйте цей ідентифікатор, щоб цитувати або посилатися на цей матеріал:
http://repositsc.nuczu.edu.ua/handle/123456789/6073
Назва: | Morphologies and Photoluminescence Properties of Porous n-InP |
Автори: | Сичікова, Яна Олександрівна Богданов, Ігор Тимофійович Онищенко, Сергій Вікторович Вамболь, Сергій Олександрович Вамболь, Віола Владиславівна Кондратенко, Олександр Миколайович |
Ключові слова: | porous layers; electrochemical etching; photoluminescence; nanostructures; indium phosphide |
Дата публікації: | 15-вер-2017 |
Видавництво: | Sumy State University |
Бібліографічний опис: | Morphologies and Photoluminescence Properties of Porous n-InP [Electronic reso¬urse] / Y. Suchikova, I. Bogdanov, S. Onishchenko, S. Vambol, V. Vambol, O. Kondratenko // Proceedings of the 2017 IEEE 7th International Conference on Nanomaterials: Applications and Properties (NAP-2017) (10 – 15 Sept. 2017). – Sumy: Sumy State University, 2017. – pp. 80 – 84 (01PCSI17-1). – Access mode: http://nap.sumdu.edu.ua/index.php/nap/nap2017. |
Короткий огляд (реферат): | The samples of porous InP were grown up by a method of anode electrochemical etching on a substrate (100) InP n-type. The samples were characterized by scanning electronic microscopy (SEM) and photoluminescence (PL) where a blue shift was observed in PL. To remove surface oxides from the surface of porous InP using the thermal cleaning of the samples in a stream of high purity hydrogen. Chemical composition of surface of porous n-InP after in hydrogen probed treatment the method of Energy dispersive X-ray spectroscopy. Size of walls between pores which makes 3 – 11nm. |
URI (Уніфікований ідентифікатор ресурсу): | http://repositsc.nuczu.edu.ua/handle/123456789/6073 |
ISBN: | 978-1-5386-2810-2 |
Розташовується у зібраннях: | Кафедра прикладної механіки |
Файли цього матеріалу:
Файл | Опис | Розмір | Формат | |
---|---|---|---|---|
SuchikovaYO_BogdanovIT_OnyshchenkoSV_VambolSO_VambolVV_KondratenkoOM_NAP-2017-1.pdf | 1,43 MB | Adobe PDF | Переглянути/Відкрити |
Усі матеріали в архіві електронних ресурсів захищені авторським правом, всі права збережені.